Silicium blijkt zich net als koolstof in een regelmatig tweedimensionaal vlak voor te kunnen doen. Onderzoekers in Japan hebben dit siliceen voor het eerst op een niet-geleidende ondergrond gevormd. Uitgangspunt is een silicium substraat van 10 bij 20 mm. Daarop brengen de wetenschappers in vacuüm en bij verhoogde temperatuur een dun laagje zirkoniumboride aan. Tijdens …